市调机构 Yole Dédevelopement 近日发布《内存行业年度状况报告》显示，2022 年，DRAM、NAND 闪存市场将分别增长 25%、24% 到 1180 亿美元、830 亿美元，均创历史新高。2021-2027 年，独立内存市场预计将以 8% 的 CAGR 增长至 2600 多亿美元。然而，季节性因素仍将存在。
据 Evertiq 报道，Yole 存储器高级市场与技术分析师 Simone Bertolazzi 博士表示，“在贸易摩擦和新冠疫情爆发的情况下，独立内存市场在过去两年一直在扩张。2020 年和 2021 的收入分别增长了 15% 和 32%。如此显著的增长是大多数细分市场的生产受限和需求强劲增长共同推动的。”
2022 年是 NAND 闪存发明 35 周年。自 1987 年以来，NAND 设备的位密度和位成本一直在不断提高。为了维持这种规模，人们正在深入研究新的技术解决方案，包括 CBA 体系结构，如长江存储的 Xtacking 方法。如今，所有的存储器制造商都在使用混合键合设备进行研发。铠侠和三星等主要供应商正在将晶圆对晶圆键合纳入 NAND 路线图。
DRAM 业务上，Yole 指出了当前的共识，即平面缩放 —— 即使通过光刻 EUV 工艺，也不足以在整个未来十年提供所需的位密度改善。因此，主要设备供应商和领先的 DRAM 制造商正在考虑将单片 3D DRAM（相当于 3D NAND 的 DRAM）作为长期扩展的潜在解决方案。Yole 的分析师认为，这种新型 3D 技术可能会在 2029-2030 年进入市场。
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