IT之家 11 月 1 日消息，SK 海力士韩国当地时间 10 月 27 日表示，该企业在 10 月中旬举行的 2025 OCP 全球峰会上展示了下一代 NAND 闪存产品战略，并介绍了 AIN Family 产品组合。
"AIN Family" 中的 "AIN" 是 "AI-NAND" 的缩写，指专为 AI 时代进行优化的 NAND 闪存产品，包含 AIN P（Performance，性能）、AIN B（Bandwidth，带宽）、AIN D（Density，容量）三个分支。
其中AIN P是一款专为大规模 AI 推理环境中海量数据的输入与输出而打造的高效解决方案。该方案通过最小化 AI 运算与存储之间的瓶颈，提升处理速度与能效。SK 海力士称其正在以全新架构重新设计 NAND 闪存与控制器，并计划于 2026 年底推出样品。
而AIN B是一款通过堆叠 NAND 闪存以扩大带宽的解决方案产品，采用了名为 HBF 高带宽闪存 (High Bandwidth Flash) 的技术。SK 海力士称其正积极评估多种 AIN B 应用方案，包括将其与 HBM 协同配置以补充容量等多种灵活模式。
至于AIN D，则是一款旨在以低功耗、低成本实现海量数据存储的高容量解决方案，特别适用于 AI 数据的存储。AIN D 可将存储容量提升至最高 PB 级，同时兼顾 SSD 的高速性能与 HDD 的经济性，成为一种中间层存储产品。
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