大厂减产保价策略奏效，DRAM / NAND 存储芯片 Q4 合约价优于预期

IT之家 11 月 29 日消息，虽然双十一多数终端产品销售平淡，但在三大原厂（三星、SK 海力士及美光）大幅减产、控制产出的前提下，存储芯片现货涨价趋势持续，其中 NAND 因亏损较严重，涨幅较为明显。

据中国台湾媒体《工商时报》，存储芯片大厂减产保价策略十分奏效，Q4 合约价报价优于市场预期，其中 DDR5 上涨 15～20％，DDR4 上涨 10～15％，DDR3 上涨 10％，而原先预估仅 5～10％。同时，NAND 每家平均涨幅至少在 20～25％，涨幅明显更高。

另外，三星对 DRAM 正常报价，但在 NAND 部分则暂停报价，同时也不出货，最新报价仍待观察。

IT之家查询发现，InSpectrum 最新报价显示，DRAM 现货中 4Gb 和 8Gb DDR4 近一周报价基本持平，但近一月报价已上涨 3.03％和 1.97％。

在 NAND Flash 现货方面，256Gb 周报价基本持平，但和 512Gb TLC Flash 上涨 4.12％，月报价则分别上涨 15.25％和 27.78％。

TrendForce 分析师预计预估，第四季 DRAM 报价将会增长 3～8％，而第三季跌幅为 0～5％；第四季 NAND 报价季增 8～13％，也远优于第三季的跌幅 5～10％。

存储模组厂商透露，目前原厂对四季度 Flash（闪存）供应主打“拖延战术”，原先（模组厂）曾在 9 月试图敲定数百万颗订单，但原厂迟迟不愿放货，就算愿意给货，数量及价格都无法达到满意的目标。虽然终端市场需求已进入淡季，但 Flash 现货市场行情却处于上游热、下游冷的特殊状态，加速 Flash 晶圆各产品全面调涨。尽管短期通路市场库存积压，NAND Flash 晶圆涨势不减反增，主流 512 Gb 现货价单月调涨约 2 成，站上 2.6 美元。

据称，三星第四季度 DRAM 减产幅度达 30％，SK 海力士及美光减产幅度达 20％，原厂对 NAND 的减产幅度更高，预计三大供应商减产将持续至 2024 年中，且资本支出和产出将聚焦于利润更高的部分，如 HBM 和 DDR5。

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