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SK 海力士确认 1c nm 工艺将用于 HBM、LPDDR6、GDDR7 等 DRAM 内存产品

2024-08-29 16:25IT之家(溯波(实习))13评

IT之家 8 月 29 日消息,SK 海力士今日宣布在业界率先成功开发第六代 10 纳米级(1c nm)DDR5 DRAM 内存的同时,也表示 1c nm 工艺将用于多款其它 DRAM 内存产品。

SK 海力士 DRAM 开发担当副社长金锺焕在新闻稿中表示:

1c 工艺技术兼备着最高性能和成本竞争力,公司将其应用于新一代 HBM、LPDDR6、GDDR7 等最先进 DRAM 主力产品群,由此为客户提供差别化的价值。

今后公司也将坚守 DRAM 市场的领导力,巩固最受客户信赖的 AI 用存储器解决方案企业的地位。

IT之家注意到,金锺焕在发言中为采用 1c nm 制程的 LPDDR 与 GDDR 指定了产品世代,但并未在 HBM 产品上提到具体世代

根据此前报道,SK 海力士的 HBM4E 内存有望采用 1c nm 制程的 32Gb DRAM 裸片,此外 SK 海力士内部也曾有在 HBM4 产品中就导入 1c nm DRAM 的声音。

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